BiCMOS相关论文
基于130 nm BiCMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可......
本文详细介绍了一种基于IBM 0.13um SiGe BiCMOS工艺的Ka波段六位差分数字移相器。相比于其它的移相器,通过采用差分结构,大大降低......
近年来,随着集成电路工艺特征尺寸的缩小和设计水平的迭代,非接触式生命体征探测雷达也冲破了波导器件、天线性能的桎梏,以其穿透......
该文设计了基于BiCMOS工艺的带有源自举CMOS输出级的Gilbert模拟乘法器电路新型结构并用于功率测量的单元前端,由此可方便组成一个......
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大......
设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻......
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结......
设计了一种高性能BiCMOS全差分运算放大器。该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗......
提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,......
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部......
研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作......
基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了......
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100 GHz的差分单刀双掷开关.首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与......
To handle the thermal budget in SiGe BiCMOS process, a nonselective graphic epitaxial technology using molecular beam ep......
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V......
本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO.采用HBT-PM......
设计了一种Colpitts型LC振荡器.该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点.该设计基于0.8 μm BiCMOS工艺,实现了中心......
提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,......
A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazzs 0.35μm SiGe BiCMOS process. It was......
基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实......
设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brok......
